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2024-133415 - Ingénieur Produit Système F/H
Type contrat : CDI Description du poste : Au sein de la direction Technique, le service Système et Equipements a pour responsabilité de développer les systèmes de la nacelle allant du système de dégivrage au système d'actionnement inverseur ainsi que l'ensemble des équipements structure qui le compo...
2024-133396 - Ingénieur Méthodes – Préparateur Industrialisation Méthodes F/H
Type contrat : CDI Description du poste : Au sein du département Méthodes Produit du CEI IX, Vous intégrerez le service méthodes IXGEU et vous aurez comme mission principale d'être le point focal produit sur le périmètre de la fin de gamme et de livraison.A ce titre les principales missions seront l...
2023-132787 - Ingénieur Méthodes MRO F/H
Type contrat : CDI Description du poste : Rattaché à la Direction Industrielle, dans le département méthodes MRO de l'UIP Fan,Vos missions principales :Piloter et développer les procédés nécessaires à la réparation des aubes de FAN CFM56 et RM1&2 M53•Piloter des industrialisations sur les parties in...
Alternance Ingénieur / Ingénieure VRD
Description de l'entreprise Artelia s'engage en faveur de la diversité et de l'inclusion, depuis plus de 10 ans : faire de la différence une force au service du collectif . En matière de recrutement, cela passe par une attention spécifique accordée à toutes les candidatures. Pour faciliter la lectur...
Stage PFE - Ingénieur / Ingénieure conseil génie civil & informatique
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Stage PFE - Ingénieur / Ingénieure Structure design d'ouvrage souterrain
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Stage Ingénieur / Ingénieure Electricité Bâtiment
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Stage PFE - Ingénieur / Ingénieure Structure étude paramétrique pour optimisation des méthodes de dimensionnement des systèmes de soutènement
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Stage PFE - Ingénieur / Ingénieure structure impact vibratoire ouvrages souterrains
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2024-30370 - Caractérisation des effets d'irradiations X sur des technologies de transistors hyperfréquences H/F
Domaine : Composants et équipements électroniques Contrat : Stage Description du poste : ContexteLe nitrure de gallium (GaN) est un semiconducteur III-V à large bande interdite (3,4 eV). Dans le domaine hyperfréquence, il est utilisé pour concevoir des transistors à effet de champ de densité de puis...